P n переход это

 

 

 

 

 

P-n-переход, его свойства. По способности проводить электрический ток твёрдые тела первоначально разделяли на проводники и диэлектрики. Поэтому концентрация неосновных носителей по обе стороны перехода увеличивается (инжекция неосновных носителей).P-N переходradioprog.ru/post/120Такое разделение зарядов в P-N-переходе представляет собой потенциальный барьер. Принцип действия полупроводниковых приборов объясняется свойствами так называемого электронно-дырочного перехода (p-n — перехода) — зоной раздела областей полупроводника с разным механизмами проводимости. Электронно-дырочный переход - это область полупроводника, вПотенциальный барьер в p-n переходе. рис. Примесную проводимость обоих типов можно создать в одном и том же полупроводни. СтатьяОбсуждениеПросмотрИстория. nn Iдиф pn.1. Равновесное состояние p-n-перехода. Ширина этой обедненной области определяет сопротивление протеканию тока через P-N переход, поэтому сопротивление прибора, имеющего такой P-N переход, зависит от размеров этой обедненной области. Разделение материалов на проводники и диэлектрики является условным, так как в действительности не существуют материалы p-n-переход или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной ( p, от англ. Напомним P-n-переход и его свойства - раздел Приборостроение, ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭЛЕКТРОНИКИ В P-N-Переходе Концентрация Основных Носителей Заряда В P- И Когда осуществляется обратное включение p-n перехода, то в образовавшейся цепи сила тока оказывается существенно ниже, чем при прямом включении. 2). Позже было замечено, что некоторые вещества проводят электрический ток хуже, чем проводники Характерной особенностью p-n - перехода является его односторонняя проводимость: он пропускает ток практически только в одном направлении (от полупроводника p - типа к полупроводнику n- типа). negative — отрицательная). Направление тока дрейфа противоположно направлению тока диффузии. Получают p-n-переход с помощью диффузии или эпитаксии. 1.6, а). Каждый из этих полупроводников электрически нейтрален. Далее Электронно-дырочный переход (сокращенно n-р-переход) возникает в полупроводниковом кристалле, имеющем одновременно области с n-типа (содержит донорные примеси) и р-типа (с акцепторными примесями) P - N переход.

Полупроводники могут иметь собственную или примесную проводимость. Он обладает очень важным свойством: его сопро-тивление зависит от направления тока.. Если используется диффузия примесей, то образуется плавный переход. Электронно-дырочный переход - это область, которая разделяет поверхности электронной и дырочной проводимости в монокристалле.В результате ток в p-n переходе снижается в десятки тысяч раз, его можно считать приближённо равным нулю. СТРУКТУРА И ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА р-n ПЕРЕХОДА.

Как только эти носители миновали p — n-переход, они становятся неосновными. Прямое включения pn. На границе полупроводников p -n-типа образуется так называемый «запирающий слой», обладающий рядам замечательных свойств, которые и обеспечили широкое применение p-n-переходов в электронике. В первом случае p-n-переход называется симметричным, во втором - несимметричным. Рассмотрим p-nпереход в отсутствии внешнего электрического поля. Электронно-дырочным или p-n-переходом называют область, возникающую на границе двух полупроводников с различными типами электропроводности. Выпрямление токов и усиление напряжений можно осуществить с помощью полупроводниковых устройств, называемых полупроводниковыми (или кристаллическими) диодами и триодами. Если к полупроводнику приложить электрическое напряжение, то в зависимости от полярности этого напряжения р-n-переход проявляет совершенно различные свойства. positive — положительная) и электронной (n, от англ. Полупроводниковым p-n- переходом называют тонкий слой, образующийся в месте контакта двух областей полупроводников акцепторного и донорного типов (см. Наиболее широко применяются плоскостные и точечные p-n-переходы. p-n - ПЕРЕХОД (электронно-дырочный переход) - слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной ( n-область) и дырочной (р-область) проводимостью. Предположим, что p-n переход образован электрическим контактом полупроводников n- и p-типа с одинаковой концентрацией донорных и акцепторных примесей (рис. Выпрямление токов и усиление напряжений можно осуществить с помощью полупроводниковых устройств, называемых полупроводниковыми (или кристаллическими) диодами и триодами. Контакт двух полупроводников с различными типами проводимости называется р n-переходом. Рассмотрим два возможных варианта подачи напряжения на pnпереход p — n-переход, или электронно-дырочный переход, — область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости от электронной n к дырочной p. 4.21). Пусть внутренняя граница раздела двух областей полупроводника с различным типом проводимости является плоскость ММ (см. Полупроводниковый p-n- переход. 1.5, a) 2. СВОЙСТВА p-n-ПЕРЕХОДА. Механизм проводимости в полупроводниках, p-n-переход. Прежде всего поясним само понятие — полупроводник. Прежде всего, рассмотрим два образца полупроводника с электронной и дырочной электропроводностями (рис. Электронно-дырочный переход (p-n-переход, n-p-переход), переходная область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости от электронной n к дырочной p pn переход это тонкая область, которая образуется в том месте, где контактируют два полупроводника разного типа проводимости. В полупроводнике n-типа основными носителями свободного заряда являются электроны Такое включение p-n перехода называется прямым, и ток через p-n переход, вызванный основными носителями заряда, также называется прямым током. P-N-переход — это область пространства на стыке двух полупроводников p и n типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. На рисунке 41 изображена схема p-n-перехода. Электронно-дырочный переход (или np-переход) это область контакта двух полупроводников с разными типами проводимости. Упрощенно механизм односторонней проводимости можно объяснить следующим образом, рисунок ниже Ток через p-n-переход основных носителей называется током диффузии, а ток неосновных носителей — током дрейфа. Электронно-дырочный переход может быть создан различными путями: в объёме одного и Электронно-дырочный переход, или сокращенно p-n-переход, это тонкий переходный слой в полупроводниковом материале на границе между двумя областями с различными типами электропроводности (одна n-типа, другая р-типа). Р-n-переход и его свойства. Образование p-n перехода. 36. p-n-переход является основой для полупроводниковых диодов, триодов и других электронных элементов с нелинейной Если p-n-переход получают вплавлением примесей в монокристаллический полупроводник, то переход от n- к р-области происходит скачком (резкий переход) . P-n-переход и его свойства. На их основе создаются полупроводниковые диоды, детекторы, термоэлементы, транзисторы. Дело в том, что дырки из области n будут следовать в область p, а электроны из области p в область n Определяющее свойство р-n-перехода — его односторонняя проводимость. Электронно-дырочный переход — это область Электронно-дырочным называют такой p-n-переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной ( n) и дырочной (p). При изменении полярности источника внешнее электрическое поле совпадает с направлением поля p-n перехода, ширина и сопротивление перехода возрастает. Электронно-дырочный переход, или сокращенно p-n-переход, это тонкий переходный слой в полупроводниковом материале на границе между двумя областями с различными типами электропроводности (одна n-типа, другая р-типа).pn << nn и np << pp Изучение контактных явлений на примере pn-перехода.В этом случае получается p-nпереход или электронно-дырочный переход. рис. Особое значение имеют контакты полупроводников с различными типами проводимости, так называемыми p-n-переходы. Следовательно, p -n переход обладает вентильными свойствами. Характеристики pn-перехода. Считается, что при прямом включении p-n переход открыт. Нам знакомы уже материалы, резко отличающиеся друг от друга по проводимости: медь (как проводник с весьма незначительным электрическим сопротивлением) 4.5.

Что такое p-n переход? Как он образуется? p-n-переход (n — negative — отрицательный, электронный, p — positive — положительный, дырочный), или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников p- и n-типа Электроннодырочный переход (pn переход) это область контакта двух полупроводников с разными типами проводимости.Рис 94. В p-n-переходе концентрация основных носителей заряда в p- и n-областях могут быть равными или существенно различаться. 3. Тонкий слой полупроводника между двумя областями, одна из которых представляет полупроводник p-типа, а другая n-типа, называют р-n-переходом.Эту емкость p-n-перехода называют барьерной. Полупроводники. Основное значение для работы полупроводниковых приборов имеет электронно-дырочный переход, которыйназывают p-n-переходом(область на границе двух полупроводников, один из которых имеет дырочную, а другой электронную электропроводность). p-n-переход при отсутствии внешнего напряжения. Он является основой большинства полупроводниковых приборов. перехода. p-n-переход или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух по.Ёмкость p-n-перехода — это ёмкости объёмных зарядов, накопленных в полупроводниках на p-n-переходе и за его пределами. Основное значение для работы полупроводниковых приборов имеет электронно-дырочный переход, которыйназывают p-n-переходом(область на границе двух полупроводников, один из которых имеет дырочную, а другой электронную электропроводность). Плоскостной p-n-переход представляет собой Формирование p-n-перехода. Этот потенциальный барьер может быть преодолен под воздействием внешнего источника напряжения, заставляющего переход проводить электрический ток. P-N переход. Слева находится полупроводник p-типа, справа — n-типа. p-n (пэ-эн) переход — область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому, такой переход ещё называют электронно — дырочным переходом.

Схожие по теме записи:


©2018,